本报南京10月19日电 （记者王伟健）如何让半导体器件更小、耐受更高电压、具备更低导通电阻和更快的开关速度？以氮化镓（GaN）为主的第三代半导体将成为发展方向。日前，江苏华功第三代半导体产业技术研究院成立，致力于第三代半导体技术的产业化。

硅半导体材料和器件在材料质量、器件设计、工艺优化等环节已经十分成熟，硅材料已经越来越逼近它的物理极限。中科院院士、江苏华功第三代半导体产业技术研究院院长甘子钊教授介绍，与硅功率电子器件相比，第三代宽禁带半导体氮化镓具备更高耐压、更低导通电阻和更快的开关速度等优势，可使电源系统工作频率更高、损耗更低、尺寸更小，具备广阔的产业发展和应用前景。